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RN1108MFV,L3F

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Toshiba America Electronic Components

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RN1108MFV,L3F Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-723 (VESM) package